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【台积电研发二维晶体管新技术，突破先进半导体材料界面瓶颈】

来源：咏桐时间：2026-08-07 11:07:05

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【台积电研发二维晶体管新技术，突破先进半导体材料界面瓶颈】台湾阳明交通大学与台积电企业研发团队在二维半导体领域取得新进展，提出一种原子级界面工程技术，可在缩小晶体管尺寸的同时保持高电气性能，有望推动下一代低功耗半导体技术发展。相关研究成果发表于《自然·电子学》。研究团队表示，二维半导体材料仅有单原子厚度，具备优异电学特性，被视为超越硅基芯片限制的潜在材料。但在制造晶体管时，超薄绝缘层与半导体之间的界面容易产生缺陷，导致电子散射，使晶体管性能提升面临瓶颈。研究人员通过在单层二硫化钼（MoS₂）半导体表面构建超薄氧化铝界面层，再结合高介电常数氧化铪栅介质，改善材料界面质量，使晶体管同时实现更强电控能力和较高载流子迁移性能。

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