存储芯片股今日AH两市齐涨。港股方面，存储链条升幅居前，兆易创新H股半日升逾6%，澜起科技升逾4%，中芯国际及华虹宏力各升逾7%，为板块造好定调。A股方面，存储芯片板块多股涨停，盈方微、有研新材、沃格光电、博敏电子先后封板，德邦科技、天准科技、中微半导等多股升逾一成，普冉股份曾逼近涨停。板块中军长鑫科技曾升9.6%，市值重返4万亿元人民币，稳占A股市值榜首，半日成交逾150亿元人民币。
消息面方面，SK海力士董事长崔泰源近日公开表示，存储需求正呈爆发式增长，预期2027年将出现历来最严重的存储荒。另据韩媒报道，三星电子HBM4良率已接近80%，较2月初步量产时的不足60%明显提升，本季HBM4销售额料达上季三倍以上，下半年HBM4营收占全部HBM总营收比重目标逾六成。瑞银预计，SK海力士今年仍将以48%的份额居HBM市场首位，明年三星则有望实现反超。两大巨头在HBM产能上的角力，侧面印证行业供不应求的现状。
大行对存储涨价的预期持续上调。花旗将2026年DRAM均价升幅预测由53%大幅上调至88%，NAND由44%上调至74%，其中服务器DRAM均价料升144%；野村则预期今年全球存储市场规模增长98%，达4450亿美元。事实上，本轮涨价周期自去年10月已展开，三星、SK海力士、美光及闪迪先后上调合约价，威刚等模组厂一度暂停报价，显示上游议价能力之强。业绩方面，SK海力士次季营收79.3万亿韩元，按年升257%，营业利润按年升557%。惟该份创纪录的业绩仍略逊市场预期，原因之一是公司已与10多家客户完成长期供货协议（LTA）谈判，大量产能提前锁定于长协价格，现货涨价的弹性被摊薄。数据显示，其次季DRAM均价按季升30%，较首季65%的升幅明显收窄，价格升势最急的一段或已过去。
A股市值榜首的长鑫科技，则是本轮国产替代叙事的核心标的。该公司为内地唯一实现DRAM全流程自主量产的企业，全球具备该能力的厂商亦仅有三星、SK海力士、美光及长鑫四家。公司7月27日于科创板挂牌，首日升逾530%，实际募资579亿元人民币，创科创板纪录。业绩方面，公司2025年首度扭亏，全年归母净利润18.75亿元人民币；今年首季营收508亿元，归母净利润247.62亿元，上半年指引营收1100亿至1200亿元。首季其DRAM销售收入73.09亿美元，全球市占率7.7%，排名第四，客户覆盖阿里云、字节、腾讯、小米等头部厂商，月产能拟由2025年底约29万片提升至2026年底的35万片。股东背景方面，国家集成电路产业投资基金二期、合肥国资、阿里及小米均有持股，董事长朱一明同时为兆易创新创始人。
港股市场上，存储相关敞口主要集中于兆易创新、澜起科技等设计股，以及追踪SK海力士及三星的杠杆ETF，相关工具波动较大，投资者宜留意仓位控制。估值层面，长鑫科技以今年预测盈利计算，前瞻市盈率约34倍，对比三星、SK海力士及美光的5至8倍明显偏高，而其HBM产品仍处客户验证阶段，与三大巨头存在代际差距。后市方面，市场将注视三大变量：AI资本开支能否维持高强度、崔泰源对2027年存储荒的预警能否兑现，以及长协价与现货价的差距变化。在上述因素明朗之前，板块波动料将加剧。
