国内存储龙头企业长鑫科技10月31日公布了一份投资者关系活动记录表，回应了市场高度关注的技术进展。公司透露下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F²垂直沟道DRAM架构，该工艺技术平台已完成工程样片验证。4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积提高单位面积存储密度。采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度市场需求情况推进。这一进展标志着国产存储芯片在先进制程领域又迈出关键一步，向高端服务器市场发起冲击的技术储备进一步夯实。
此前长鑫科技宣布在4F²垂直沟道DRAM架构上取得关键突破，随后相关技术在业内引起争议。长鑫科技此次回应称从物理规律看DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线位线以及电容结构的多重空间博弈，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下不同架构在工艺集成复杂度光刻次数以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。不同存储厂商基于自身历史技术积累现有产线配置专利布局及资本开支结构往往会做出差异化的战略选择值得理解和尊重。
经营质量同步改善。前三季度经营活动净现金流2548亿元同比增长1865%，仅三季度单季就达1236亿元环比增长近40%。三季度末资产负债率降至36.34%较上年末下降17.9个百分点。前三季度研发投入111亿元同比增长73%。管理团队表示四季度受AI应用快速发展驱动服务器客户对产品需求强劲DRAM供不应求态势仍将延续，预计公司营收继续保持增长。展望明年在AI智能终端等需求带动下营收预计仍将保持增长。
在基础架构层面长鑫在近期行业会议上透露预计年底将推出融合4F²架构及混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫自研的VSG垂直包围栅晶体管采用垂直包围沟道结构解决漏电与短沟道效应痛点提升存储密度。将首代4F²架构产品定位于技术壁垒极高的服务器级DDR5 RDIMM，表明长鑫正依托长期技术沉淀向需要全天候稳定运行严苛兼容性测试的服务器高端市场发起冲击。前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力，国产存储的突围之路正在从跟跑转向并跑甚至领跑的关键阶段。
