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全球半导体设备站在高位震荡路口:AI边际信号转弱,国产替代进入攻坚期

来源:佳瑞 时间:2026-09-11 08:35:17

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全球半导体设备市场正站在一个微妙的十字路口。过去两年,由AI算力需求驱动的资本开支狂潮将这个行业推向前所未有的高度,英伟达、谷歌、微软等科技巨头竞相建设AI数据中心,推动先进制程与先进封装设备需求激增。据SEMI统计,2025年全球半导体设备销售额突破1200亿美元,其中AI相关投资贡献了约三分之一的增量。然而进入2026年,市场开始出现增速换挡的迹象。博通在最新财报中给出的AI半导体收入指引虽仍高达217亿美元,同比增长236%,但仅略高于市场预期的213亿美元,这一边际不及预期的信号被解读为AI资本开支可能见顶的前兆。台积电与三星等晶圆大厂的资本开支计划也趋于保守,3nm产能爬坡速度低于预期,部分设备订单出现延期。从周期位置看,当前市场处于高位震荡阶段,先进制程热而成熟制程冷,设备厂商的订单能见度从2025年的12至18个月缩短至当前的6至9个月,业绩波动性显著上升。


在这个背景下,ASML、应用材料、泛林集团、东京电子和科磊五大国际巨头合计占据超过75%的市场份额,形成高度垄断格局。ASML作为全球唯一能够量产EUV设备的企业,其High-NA EUV设备单价超过3.5亿欧元,未交付订单超过500亿欧元,护城河不仅在于技术,更在于其与台积电、三星、英特尔等头部晶圆厂构建的客户共生生态。应用材料则凭借平台化战略覆盖沉积、刻蚀、离子注入、化学机械抛光等几乎所有前道工艺环节,为客户提供一站式解决方案,降低供应链复杂度。然而,美国对华出口管制持续收紧,限制14nm及以下先进制程设备对华出口,倒逼中国加速国产替代。同时,全球地缘政治风险上升,各国纷纷推出半导体产业本土化政策,设备市场的区域化趋势日益明显,为中国设备企业提供了难得的战略窗口期。


中国半导体设备国产化率在过去五年实现了从不足10%到约25%的跨越,但高端设备仍严重依赖进口。当前国产替代呈现点状突破与链式协同的特征。中微公司的5nm刻蚀机已进入台积电供应链,其CCP和ICP刻蚀设备在逻辑芯片和存储芯片领域均实现批量出货。北方华创的刻蚀设备覆盖28nm及以上成熟制程,正在向14nm及以下节点推进。拓荆科技在PECVD领域实现国产替代,其设备已广泛应用于国内存储芯片产线。盛美上海的单片清洗设备在成熟制程产线中已占据较高份额。光刻机仍是最大瓶颈,上海微电子的90nm光刻机已实现量产,但28nm及以下节点的DUV光刻机仍处研发阶段,EUV光刻机更是遥不可及。2026年,国家集成电路产业投资基金三期3440亿元投资正式落地,重点投向半导体设备、材料和制造环节,与一期、二期相比,三期更强调强链补链,针对光刻机、高端刻蚀、量测设备等卡脖子环节进行定向扶持,同时更加注重与地方产业基金、社会资本的合作,形成国家队、地方队与市场队的协同投资格局。


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